Антава

IXYS

Транзистор IXTA180N10T7-TRL

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
180 A
Power dissipation
480 W
Корпус
TO263-7
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA180N10T7-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current180 A
Power dissipation480 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage30 V
On-state resistance6.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge151nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; 480W; TO263-7; 100ns

Документация

Документы пока не предоставлены.