Антава

IXYS

Транзистор IXTA180N10T-TRL

IXTA180N10T-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Drain-source voltage
100 V
Drain current
180 A
Pulsed drain current
180 A
Power dissipation
480 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA180N10T-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Drain-source voltage100 V
Drain current180 A
Pulsed drain current180 A
Power dissipation480 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage20 V
On-state resistance6.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge151nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time72ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 180A; Idm: 180A; 480W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.