Антава

IXYS

Транзистор IXTA180N10T

IXTA180N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
180 A
Power dissipation
480 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 300 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 525,26 ₽

Сумма · с НДС 22%1 525,26 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 525,26 ₽
от 10812,47 ₽
от 25778,61 ₽
от 50750,40 ₽
от 500703,39 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTA180N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current180 A
Power dissipation480 W
КорпусTO263
On-state resistance6.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge151nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time72ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns

Документация

Документ производителя