Антава

IXYS

Транзистор IXTA170N075T2

IXTA170N075T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
170 A
Power dissipation
360 W
Корпус
TO263

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 37 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%720,54 ₽

Сумма · с НДС 22%720,54 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1720,54 ₽
от 3647,33 ₽
от 10572,19 ₽
от 50518,25 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTA170N075T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current170 A
Power dissipation360 W
КорпусTO263
On-state resistance5.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge109nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time63ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns

Документация

Документ производителя