Антава

IXYS

Транзистор IXTA16N50P-TRL

IXTA16N50P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
500 V
Drain current
16 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA16N50P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage500 V
Drain current16 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge43nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 500V; 16A; 300W; D2PAK,TO263; 400ns

Документация

Документы пока не предоставлены.