Антава

IXYS

Транзистор IXTA160N10T7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100V
Drain current
160A
Power dissipation
430W
Корпус
TO263-7
Gate-source voltage
30V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA160N10T7
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100V
Drain current160A
Power dissipation430W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage30V
On-state resistance7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge132nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO263-7; 100ns

Документация

Документы пока не предоставлены.