Антава

IXYS

Транзистор IXTA160N04T2

IXTA160N04T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
160A
Power dissipation
250W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA160N04T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current160A
Power dissipation250W
КорпусTO263
On-state resistance5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge79nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time40ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns

Документация

Документ производителя