Антава

IXYS

Транзистор IXTA15P15T

IXTA15P15T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150V
Drain current
-15A
Power dissipation
150W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA15P15T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150V
Drain current-15A
Power dissipation150W
КорпусTO263
Gate-source voltage±15V
On-state resistance0.24Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge48nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time116ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO263

Документация

Документ производителя