Антава

IXYS

Транзистор IXTA14N60P

IXTA14N60P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
14 A
Power dissipation
300 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA14N60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current14 A
Power dissipation300 W
КорпусTO263
On-state resistance0.55 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time0.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263; 500ns

Документация

Документ производителя