Антава

IXYS

Транзистор IXTA130N10T7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchMV™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
130 A
Pulsed drain current
350 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA130N10T7
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchMV™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current130 A
Pulsed drain current350 A
Power dissipation360 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge104nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time77ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A

Документация

Документ производителя