Антава

IXYS

Транзистор IXTA130N10T

IXTA130N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchMV™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
130A
Pulsed drain current
350A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA130N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchMV™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current130A
Pulsed drain current350A
Power dissipation360W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30V
On-state resistance9.1mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge104nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time77ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A

Документация

Документ производителя