Антава

IXYS

Транзистор IXTA12N50P

IXTA12N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
12 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA12N50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current12 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263

Документация

Документ производителя