Антава

IXYS

Транзистор IXTA120P065T

IXTA120P065T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-65 V
Drain current
-120 A
Power dissipation
298 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 264 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 258,31 ₽

Сумма · с НДС 22%1 258,31 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 258,31 ₽
от 101 042,54 ₽
от 50817,23 ₽
от 100788,59 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTA120P065T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-65 V
Drain current-120 A
Power dissipation298 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time53ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263

Документация

Документ производителя