Антава

IXYS

Транзистор IXTA120N04T2

IXTA120N04T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Power dissipation
200 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA120N04T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Power dissipation200 W
КорпусTO263
On-state resistance6.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge58nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time35ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns

Документация

Документ производителя