Антава

IXYS

Транзистор IXTA110N12T2

IXTA110N12T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120V
Drain current
110A
Power dissipation
517W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA110N12T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120V
Drain current110A
Power dissipation517W
КорпусTO263
On-state resistance14mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time64ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 110A; 517W; TO263; 64ns

Документация

Документ производителя