Антава

IXYS

Транзистор IXTA110N055T2

IXTA110N055T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
110 A
Power dissipation
180 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA110N055T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current110 A
Power dissipation180 W
КорпусTO263
On-state resistance6.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge57nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time38ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns

Документация

Документ производителя