Антава

IXYS

Транзистор IXTA10P50P-TRL

IXTA10P50P-TRL
Type of transistor
P-MOSFET
Drain current
10 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Корпус
D2PAK
Gate-source voltage
20 V
On-state resistance
1 Ω
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA10P50P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
Drain current10 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage20 V
On-state resistance1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; 10A; 300W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.