Антава

IXYS

Транзистор IXTA10P50P

IXTA10P50P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-500V
Drain current
-10A
Power dissipation
300W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA10P50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-500V
Drain current-10A
Power dissipation300W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time414ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263

Документация

Документ производителя