Антава

IXYS

Транзистор IXTA10P15T

IXTA10P15T
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-150V
Drain current
-10A
Power dissipation
83W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
15V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA10P15T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-150V
Drain current-10A
Power dissipation83W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage15V
On-state resistance0.35Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -150V; -10A; 83W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.