Антава

IXYS

Транзистор IXTA102N15T

IXTA102N15T
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Drain-source voltage
150 V
Drain current
102 A
Power dissipation
455 W
Корпус
D2PAK, TO263AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA102N15T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Drain-source voltage150 V
Drain current102 A
Power dissipation455 W
КорпусD2PAK, TO263AB
Gate-source voltage20 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge87nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time97ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; 150V; 102A; 455W; D2PAK,TO263AB; 97ns

Документация

Документы пока не предоставлены.