Антава

IXYS

Транзистор IXTA100N04T2

IXTA100N04T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Power dissipation
150 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA100N04T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Power dissipation150 W
КорпусTO263
On-state resistance7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time34ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns

Документация

Документ производителя