Антава

IXYS

Транзистор IXTA08N120P

IXTA08N120P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
0.8 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA08N120P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current0.8 A
Power dissipation50 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance25 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time900ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 0.8A; 50W; TO263

Документация

Документ производителя