Антава

IXYS

Транзистор IXTA08N100D2HV-TRL

IXTA08N100D2HV-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
0.8 A
Power dissipation
60 W
Корпус
D2PAK, TO263AB
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA08N100D2HV-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1 kV
Drain current0.8 A
Power dissipation60 W
КорпусD2PAK, TO263AB
Gate-source voltage20 V
On-state resistance21 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14.6nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 60W; D2PAK,TO263AB

Документация

Документы пока не предоставлены.