Антава

IXYS

Транзистор IXTA08N100D2

IXTA08N100D2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
0.8 A
Power dissipation
60 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA08N100D2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current0.8 A
Power dissipation60 W
КорпусTO263
On-state resistance21 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge325nC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263

Документация

Документ производителя