Антава

IXYS

Транзистор IXTA06N120P-TRL

IXTA06N120P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
N
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
0.6 A
Pulsed drain current
0.6 A
Power dissipation
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA06N120P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
PolarisationN
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current0.6 A
Pulsed drain current0.6 A
Power dissipation42 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage30 V
On-state resistance32 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.3nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time900ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 1.2kV; 600mA; Idm: 0.6A; 42W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.