Антава

IXYS

Транзистор IXTA06N120P

IXTA06N120P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
0.6 A
Power dissipation
42 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA06N120P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current0.6 A
Power dissipation42 W
КорпусTO263
On-state resistance34 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time900ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.6A; 42W; TO263; 900ns

Документация

Документ производителя