Антава

IXYS

Транзистор IXTA05N100HV-TRL

IXTA05N100HV-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
0.75 A
Power dissipation
40 W
Корпус
D2PAK, TO263AB
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA05N100HV-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1 kV
Drain current0.75 A
Power dissipation40 W
КорпусD2PAK, TO263AB
Gate-source voltage30 V
On-state resistance17 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.8nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time710ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 750mA; 40W; D2PAK,TO263AB; 710ns

Документация

Документы пока не предоставлены.