Антава

IXYS

Транзистор IXTA05N100-TRL

IXTA05N100-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1kV
Drain current
0.75A
Power dissipation
40W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
30V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA05N100-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1kV
Drain current0.75A
Power dissipation40W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage30V
On-state resistance17Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.8nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time710ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 750mA; 40W; D2PAK,TO263; 710ns

Документация

Документы пока не предоставлены.