Антава

IXYS

Транзистор IXTA05N100

IXTA05N100
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
0.75 A
Power dissipation
40 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA05N100
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current0.75 A
Power dissipation40 W
КорпусTO263
On-state resistance17 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time710ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns

Документация

Документ производителя