IXYS

Транзистор IXSJ80N120R1K

TO247-4Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2 kV
Drain current: 80 A
Рассеиваемая мощность: 223.2 W
Корпус: TO247-4
Gate-source voltage: -4...21 V

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IXSJ80N120R1K
Производитель	IXYS
Type of transistor	N-MOSFET
Drain-source voltage	1.2 kV
Drain current	80 A
Рассеиваемая мощность	223.2 W
Корпус	TO247-4
Gate-source voltage	-4...21 V
On-state resistance	18 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	155nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 80A; 223.2W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.