IXYS

Транзистор IXSJ80N120R1

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1.2 kV
Drain current: 85 A
Рассеиваемая мощность: 266 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IXSJ80N120R1
Производитель	IXYS
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	N
Drain-source voltage	1.2 kV
Drain current	85 A
Рассеиваемая мощность	266 W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	-4...21 V
On-state resistance	18 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	154nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 85A; 266W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.