Антава

IXYS

Транзистор IXSJ43N120R1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
N
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
43 A
Рассеиваемая мощность
142 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXSJ43N120R1
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
PolarisationN
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current43 A
Рассеиваемая мощность142 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-4...12 V
On-state resistance36 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge79nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 43A; 142W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.