Антава

IXYS

Транзистор IXSH80N120L2KHV

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
58 A
Pulsed drain current
198 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXSH80N120L2KHV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current58 A
Pulsed drain current198 A
Power dissipation395 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-10...23 V
On-state resistance58 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge135nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 58A; Idm: 198A; 395W

Документация

Документ производителя