IXYS

Транзистор IXSH40N120L2KHV

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1.2 kV
Drain current: 40 A
Power dissipation: 250 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IXSH40N120L2KHV
Производитель	IXYS
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	SiC
Polarisation	N
Drain-source voltage	1.2 kV
Drain current	40 A
Power dissipation	250 W
Корпус	TO247-4
Gate-source voltage	-5...20 V
On-state resistance	80 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	53nC
Kind of channel	enhancement
Reverse recovery time	28.6ns

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-4; 28.6ns

Документация

Документы пока не предоставлены.