Антава

IXYS

Транзистор IXSH20N120L2KHV

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
N
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
20 A
Рассеиваемая мощность
136 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXSH20N120L2KHV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
PolarisationN
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current20 A
Рассеиваемая мощность136 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance160 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge29nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time30ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 20A; 136W; TO247-4; 30ns

Документация

Документы пока не предоставлены.