Антава

IXYS

Транзистор IXSH100N65L2KHV

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
N
Drain-source voltage
650 V
Drain current
99 A
Рассеиваемая мощность
454 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXSH100N65L2KHV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
PolarisationN
Drain-source voltage650 V
Drain current99 A
Рассеиваемая мощность454 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance25 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge125nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 650V; 99A; 454W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.