Антава

IXYS

Транзистор IXSA80N120L2-7TR

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
N
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
80 A
Power dissipation
395 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXSA80N120L2-7TR
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
PolarisationN
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current80 A
Power dissipation395 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge135nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 80A; 395W; D2PAK-7

Документация

Документы пока не предоставлены.