IXYS

Транзистор IXSA65N120L2-7TR

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1.2 kV
Drain current: 65 A
Power dissipation: 417 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IXSA65N120L2-7TR
Производитель	IXYS
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	N
Drain-source voltage	1.2 kV
Drain current	65 A
Power dissipation	417 W
Корпус	D2PAK-7
Gate-source voltage	-5...20 V
On-state resistance	40 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	110nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 65A; 417W; D2PAK-7

Документация

Документы пока не предоставлены.