IXYS

Транзистор IXSA40N65L2-7TR

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 40 A
Power dissipation: 174 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IXSA40N65L2-7TR
Производитель	IXYS
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	N
Drain-source voltage	650 V
Drain current	40 A
Power dissipation	174 W
Корпус	D2PAK-7
Gate-source voltage	-5...20 V
On-state resistance	60 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	64nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 650V; 40A; 174W; D2PAK-7

Документация

Документы пока не предоставлены.