Антава

IXYS

Транзистор IXSA40N120L2-7TR

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
N
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
30 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXSA40N120L2-7TR
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
PolarisationN
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current30 A
Power dissipation250 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 30A; 250W; D2PAK-7

Документация

Документы пока не предоставлены.