Антава

IXYS

Транзистор IXSA20N120L2-7TR

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
N
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
20 A
Рассеиваемая мощность
136 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXSA20N120L2-7TR
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
PolarisationN
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current20 A
Рассеиваемая мощность136 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance160 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 20A; 136W; D2PAK-7

Документация

Документы пока не предоставлены.