Антава

IXYS

Транзистор IXKR40N60C

IXKR40N60C
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
38 A
Power dissipation
280 W
Корпус
ISOPLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXKR40N60C
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current38 A
Power dissipation280 W
КорпусISOPLUS247™
On-state resistance70 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge250nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicessuper junction coolmos
Reverse recovery time650ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns

Документация

Документ производителя