Антава

IXYS

Транзистор IXKR25N80C

IXKR25N80C
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
25A
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXKR25N80C
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current25A
Power dissipation250W
КорпусISOPLUS247™
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.125Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™

Документация

Документ производителя