Антава

IXYS

Транзистор IXKC40N60C

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
28 A
Корпус
ISOPLUS220™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXKC40N60C
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current28 A
КорпусISOPLUS220™
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance95 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge230nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time800ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns

Документация

Документы пока не предоставлены.