Антава

IXYS

Транзистор IXKC25N80C

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
25 A
Корпус
ISOPLUS220™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXKC25N80C
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current25 A
КорпусISOPLUS220™
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time550ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns

Документация

Документы пока не предоставлены.