Антава

IXYS

Транзистор IXKC19N60C5

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
19A
Корпус
ISOPLUS220™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXKC19N60C5
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current19A
КорпусISOPLUS220™
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.125Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time430ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns

Документация

Документы пока не предоставлены.