Антава

IXYS

Транзистор IXGX82N120B3

IXGX82N120B3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
82 A
Power dissipation
1.25 kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGX82N120B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current82 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current500 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.35µC
Kind of packagetube
Turn-on time112ns
Turn-off time760ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™

Документация

Документ производителя