IXYS

Транзистор IXGX75N250

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 2.5 kV
Collector current: 170 A
Power dissipation: 780 W
Корпус: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IXGX75N250
Производитель	IXYS
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	2.5 kV
Collector current	170 A
Power dissipation	780 W
Корпус	TO247-3
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	530 A
Монтаж	THT — в отверстия
Kind of package	tube

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 2.5kV; 170A; 780W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.