Антава

IXYS

Транзистор IXGX72N60A3H1

IXGX72N60A3H1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
72 A
Рассеиваемая мощность
540 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGX72N60A3H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current72 A
Рассеиваемая мощность540 W
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current400 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge230nC
Kind of packagetube
Turn-on time63ns
Turn-off time885ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™

Документация

Документ производителя