Антава

IXYS

Транзистор IXGX55N120A3H1

IXGX55N120A3H1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
55 A
Рассеиваемая мощность
460 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGX55N120A3H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current55 A
Рассеиваемая мощность460 W
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current400 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Turn-on time70ns
Turn-off time1253ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™

Документация

Документ производителя